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2SC5226A-4-TL-E

2SC5226A-4-TL-E onsemi

2sc5226a-d.pdf Hersteller: onsemi
RF Bipolar Transistors VHF TO UHF WIDEBAND AMPLIFIER
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Technische Details 2SC5226A-4-TL-E onsemi

Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SC-70 MCP3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 70mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SC-70 / MCP3, Part Status: Active.

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2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sc5226a-d.pdf Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 24962sc5226a-d.pdf Trans RF BJT NPN 10V 0.07A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E Hersteller : onsemi 2sc5226a-d.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SC-70 MCP3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70 / MCP3
Part Status: Active
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2SC5226A-4-TL-E 2SC5226A-4-TL-E Hersteller : onsemi 2sc5226a-d.pdf Description: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SC-70 MCP3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70 / MCP3
Part Status: Active
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