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2SC5242-O(Q)

2SC5242-O(Q) Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Technische Details 2SC5242-O(Q) Toshiba

Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 130 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5242-O(Q) 2SC5242-O(Q) Toshiba docget.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SC5242-O(Q) 2SC5242-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5242_datasheet_en_20131101.pdf?did=20673&prodName=2SC5242 Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 130 W
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2SC5242-O(Q) 2SC5242-O(Q) Toshiba docget.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SC5242-O(Q) TOSHIBA 2SC5242_datasheet_en_20131101.pdf?did=20673&prodName=2SC5242 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 130W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
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50+2.46 EUR
100+2.34 EUR
300+2.05 EUR
500+2.02 EUR
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 130 W
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Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 230V; 15A; 130W
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 230V
Collector current: 15A
Power dissipation: 130W
Mounting: THT
Frequency: 30MHz
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