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2SC5359-O(Q)

2SC5359-O(Q) Toshiba

5582sc5359_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
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Technische Details 2SC5359-O(Q) Toshiba

Description: TRANS NPN 230V 15A TO3P, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3PL, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P(L), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 15 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 180 W.

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2SC5359-O(Q) 2SC5359-O(Q) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5359_datasheet_en_20131101.pdf?did=20698&prodName=2SC5359 Description: TRANS NPN 230V 15A TO3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3PL
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P(L)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 180 W
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2SC5359-O(Q) 2SC5359-O(Q) Hersteller : Toshiba 2SC5359_datasheet_en_20131101-1916394.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor NPN 230V 15A
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2SC5359-O(Q) 2SC5359-O(Q) Hersteller : Toshiba 5582sc5359_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
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2SC5359-O(Q) 2SC5359-O(Q) Hersteller : Toshiba 5582sc5359_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans GP BJT NPN 230V 15A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL Tray
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