2SC5455-T1-A Renesas Electronics America Inc
Hersteller: Renesas Electronics America IncDescription: 2SC5455 - MD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V
Frequency - Transition: 12GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 757+ | 0.67 EUR |
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Technische Details 2SC5455-T1-A Renesas Electronics America Inc
Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 10dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V, Frequency - Transition: 12GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-143.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Description: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-253-4, TO-253AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 30mA, 3V Frequency - Transition: 12GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-143 |
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| 2SC5455-T1-A | Hersteller : Renesas Electronics |
Renesas Electronics |
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2SC5455-T1-A | Hersteller : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN Silicon 12GHz NF 1.5dB |
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