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2SC5551AE-TD-E

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	2SC5551AE-TD-E	onsemi	Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.3W Current - Collector (Ic) (Max): 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3.5GHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	2SC5551AE-TD-E	onsemi	Bipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SC5551AE-TD-E

Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 1.3W
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 3.5GHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete

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2SC5551AE-TD-E

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz

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