Weitere Produktangebote 2SC5551AE-TD-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2SC5551AE-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 30V 0.3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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| 2SC5551AE-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 30V 0.3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
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2SC5551AE-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.3W Current - Collector (Ic) (Max): 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3.5GHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete |
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2SC5551AE-TD-E | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 30V 3.5GHZ PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.3W Current - Collector (Ic) (Max): 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 3.5GHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete |
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2SC5551AE-TD-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT RF Transistors 30V,300mA,fT=3.5GHz |
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