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2SC5585TL

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor 602sc5585tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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1000+0.25 EUR
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1000+0.24 EUR
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2SC5585TL 2SC5585TL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 634 Stücke:
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21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.4 EUR
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2SC5585TL 2SC5585TL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5585&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
auf Bestellung 1801 Stücke:
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10+0.67 EUR
100+0.43 EUR
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1000+0.35 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SC5585-TL ROHM SOT23
auf Bestellung 8939 Stücke:
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2SC5585 TL ROHM SOT23/SOT323
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2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 20345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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471+0.37 EUR
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2SC5585TL
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Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
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2SC5585TL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
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2SC5585TL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A SOT-416
auf Bestellung 1801 Stücke:
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3+1.08 EUR
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2SC5585-TL
Hersteller: ROHM
SOT23
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5585 TL
Hersteller: ROHM
SOT23/SOT323
auf Bestellung 2982 Stücke:
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