2SC5606-A CEL
Hersteller: CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 21GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Power - Max: 115mW
Gain: 12.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Strip
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Technische Details 2SC5606-A CEL
Description: RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Frequency - Transition: 21GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 2V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Power - Max: 115mW, Gain: 12.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Strip.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SC5606-A | CEL |
 RF Bipolar Transistors NPN Silicon 21GHz NF 1.2dB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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Hersteller: CEL
RF Bipolar Transistors NPN Silicon 21GHz NF 1.2dB
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