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2SC5661T2LP

2SC5661T2LP Rohm Semiconductor

2sc4725.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
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Technische Details 2SC5661T2LP Rohm Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 1.5GHz, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 150 mW, Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5661T2LP 2SC5661T2LP Rohm Semiconductor 2sc4725.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
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2SC5661T2LP 2SC5661T2LP Rohm Semiconductor 2sc4725.pdf Description: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
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2SC5661T2LP 2SC5661T2LP ROHM Semiconductor 2sc4725.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA
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2SC5661T2LP 2SC5661T2LP Rohm Semiconductor 2sc4725.pdf Description: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
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Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
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Power - Max: 150 mW
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