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2SC5662T2LP

2SC5662T2LP Rohm Semiconductor

2sc5662t2lp-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8114 Stücke:
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Technische Details 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Dauerkollektorstrom: 10mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3.2GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5662T2LP 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor 2sc5662t2lp-e.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.23 EUR
16000+0.21 EUR
24000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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2SC5662T2LP 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor 2sc5662t2lp-e.pdf Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
456+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
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2SC5662T2LP 2SC5662T2LP Rohm Semiconductor 2sc5662t2lp-e.pdf Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 25517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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2SC5662T2LP 2SC5662T2LP ROHM 2sc5662t2lp-e.pdf Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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2SC5662T2LP 2SC5662T2LP ROHM 2sc5662t2lp-e.pdf Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
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2SC5662 T2LP ROHM
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2SC5662T2LP
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8000+0.23 EUR
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Trans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
456+0.38 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 456 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
auf Bestellung 25517 Stücke:
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19+1.15 EUR
30+0.71 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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2SC5662T2LP
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
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195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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2SC5662T2LP
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
195+1.29 EUR
317+0.74 EUR
496+0.43 EUR
681+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
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