Technische Details 2SC5810(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SC5810(TE12L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SC5810(TE12L,F) |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH



