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2SC5810(TE12L,F)

2SC5810(TE12L,F) Toshiba

1182sc5810_en_datasheet_061110.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
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Technische Details 2SC5810(TE12L,F) Toshiba

Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5810(TE12L,F) 2SC5810(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20755&prodName=2SC5810 Description: TRANS NPN 50V 1A SC-62
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2SC5810(TE12L,F) 2SC5810(TE12L,F) Toshiba TOSHS14020_1-2563997.pdf Bipolar Transistors - BJT Power Trans 100V 0.17V Vce 85ns
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 1A SC-62
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