Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SC5866TLQ
2SC5866TLQ

2SC5866TLQ Rohm Semiconductor

2sc5866tlq-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 29468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
511+0.28 EUR
530+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.23 EUR
5000+0.21 EUR
10000+0.2 EUR
25000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 511
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote 2SC5866TLQ nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
394+0.37 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.32 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 394
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 45579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
311+0.47 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.18 EUR
25000+0.16 EUR
40000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 311
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Hersteller : ROHM Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
auf Bestellung 3988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+0.92 EUR
10+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.28 EUR
3000+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 7059 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+1.18 EUR
24+0.74 EUR
100+0.47 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Hersteller : ROHM ROHM-S-A0004682854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5866tlq-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SC5866TLQ Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR 2sc5866tlq-e.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 500mW; SC96
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC96
Current gain: 120...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH