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2SC5866TLQ

2SC5866TLQ Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3000+0.3 EUR
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Technische Details 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 500mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 29468 Stücke:
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511+0.35 EUR
530+0.33 EUR
1000+0.31 EUR
2500+0.3 EUR
5000+0.29 EUR
10000+0.27 EUR
25000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 511 Stücke
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2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
394+0.45 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 394 Stücke
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2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 45579 Stücke:
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311+0.57 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.24 EUR
25000+0.23 EUR
40000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
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2SC5866TLQ 2SC5866TLQ ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
auf Bestellung 3988 Stücke:
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4+1.09 EUR
10+0.8 EUR
100+0.54 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SC5866TLQ 2SC5866TLQ Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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2SC5866TLQ 2SC5866TLQ ROHM datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
231+1 EUR
338+0.63 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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2SC5866TLQ 2sc5866tlq-e.pdf
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Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
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Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
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Description: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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