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2SC5866TLR

2SC5866TLR Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
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Technische Details 2SC5866TLR Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC5866TLR 2SC5866TLR Rohm Semiconductor 2sc5866tlq-e.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 31747 Stücke:
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364+0.49 EUR
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2SC5866TLR 2SC5866TLR ROHM Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
auf Bestellung 3345 Stücke:
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4+1 EUR
10+0.74 EUR
100+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.29 EUR
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2SC5866TLR 2SC5866TLR Rohm Semiconductor datasheet?p=2SC5866&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 21924 Stücke:
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17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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