2SC6017-TL-E ON Semiconductor
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Technische Details 2SC6017-TL-E ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 10A TPFA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 950 mW.
Weitere Produktangebote 2SC6017-TL-E nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2SC6017-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SC6017-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 10A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 950 mW |
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2SC6017-TL-E | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V |
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2SC6017-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC6017-TL-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Verlustleistung: 20 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SC6017-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC6017-TL-E | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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2SC6017-TL-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 10A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 950 mW |
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