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2SC6100,LF(T

2SC6100,LF(T Toshiba

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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details 2SC6100,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Dauerkollektorstrom: 2.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SC6100,LF(T 2SC6100,LF(T Toshiba 653docget.jsppid2sc6100langentypedatasheet.jsppid2sc6100langentypeda.pdf Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
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402+0.44 EUR
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2SC6100,LF(T 2SC6100,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 400hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+1.39 EUR
290+0.8 EUR
451+0.48 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 179 Stücke
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2SC6100,LF(T 2SC6100,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
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isCanonical: N
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 2.5A 800mW 3-Pin UFM T/R
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: TOSHIBA - 2SC6100,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2.5 A, 800 mW, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-323F
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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