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2SCR293P5T100

2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.25 EUR
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Technische Details 2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor 232scr293p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.86 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
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2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 4602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR293P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.04 EUR
10+0.64 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.2 EUR
25000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 ROHM 2scr293p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
321+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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2SCR293P5T100 2SCR293P5T100 ROHM 2scr293p5t100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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250+0.82 EUR
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2SCR293P5T100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Description: ROHM - 2SCR293P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-89
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
198+1.26 EUR
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