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2SCR346PT100P

2SCR346PT100P Rohm Semiconductor

2scr346pt100p-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR346PT100P Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : ROHM Semiconductor rohm_s_a0008994281_1-2281567.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : ROHM 2scr346pt100p-e.pdf Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : ROHM 2scr346pt100p-e.pdf Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Trans GP BJT NPN 400V 0.1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR346PT100P Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR 2scr346pt100p-e.pdf 2SCR346PT100P NPN SMD transistors
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
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2SCR346PT100P 2SCR346PT100P Hersteller : Rohm Semiconductor 2scr346pt100p-e.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 500 mW
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