2SCR372PT100Q Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 220MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details 2SCR372PT100Q Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.7A MPT3, Power - Max: 2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Supplier Device Package: MPT3, Frequency - Transition: 220MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-243AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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2SCR372PT100Q | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SCR372PT100Q |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A
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