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2SCR375P5T100Q

2SCR375P5T100Q Rohm Semiconductor

2scr375p5t100q-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR375P5T100Q Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR375P5T100Q 2SCR375P5T100Q ROHM Semiconductor rohm_s_a0008265258_1-2281824.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 120V Vceo 1.5A Ic MPT3
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SCR375P5T100Q 2SCR375P5T100Q Rohm Semiconductor 2scr375p5t100q-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 1.5A MPT3
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2SCR375P5T100Q Rohm Semiconductor 2scr375p5t100q-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Description: ROHM - 2SCR375P5T100Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
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