2SCR375PHZGT100Q Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 409+ | 0.35 EUR |
| 411+ | 0.34 EUR |
| 500+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SCR375PHZGT100Q Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR375PHZGT100Q - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 120V, 1.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR375PHZGT100Q nach Preis ab 0.44 EUR bis 2.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR375PHZGT100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR375PHZGT100Q | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 120V 1.5A, Middle Power Transistor |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR375PHZGT100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 1444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
2SCR375PHZGT100Q | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR375PHZGT100Q - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 120V, 1.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
2SCR375PHZGT100Q | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 120V 1.5A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 80mA, 800mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |