2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SCR502E3HZGTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SCR502E3HZGTL nach Preis ab 0.15 EUR bis 0.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SCR502E3HZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101 |
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2SCR502E3HZGTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Various products are available in lineup developed focusing on energy-saving and high reliability as main concepts, covering from ultra-compact packages to power-packages to meet the needs in market. |
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2SCR502E3HZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-416, 30V 500MA, GENERAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
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2SCR502E3HZGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| 2SCR502E3HZGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502E3HZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2SCR502E3HZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-416, 30V 500MA, GENERAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: EMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
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