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2SCR502EBTL

2SCR502EBTL Rohm Semiconductor

2sar502u3t106-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
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Technische Details 2SCR502EBTL Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 150 mW.

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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar502u3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar502u3t106-e.pdf Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 3-Pin EMTF T/R
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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : ROHM Semiconductor 2scr502ebtl-e-1872125.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver
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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : ROHM 2644322.pdf Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : ROHM 2644322.pdf Description: ROHM - 2SCR502EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 500
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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2SCR502EBTL 2SCR502EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
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