Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR502U3HZGT106
2SCR502U3HZGT106

2SCR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor

datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
40+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SCR502U3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Weitere Produktangebote 2SCR502U3HZGT106 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.57 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 0.5A 0.2W SOT-323
auf Bestellung 3648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.57 EUR
10+0.45 EUR
100+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.16 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Hersteller : ROHM 2scr502u3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Hersteller : ROHM 2scr502u3hzgt106-e.pdf Description: ROHM - 2SCR502U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 360MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502U3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 1773 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
407+0.36 EUR
500+0.34 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 407
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR502U3HZGT106 2SCR502U3HZGT106 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR502U3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 360MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH