2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Preis |
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| 1180+ | 0.12 EUR |
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Technische Details 2SCR502U3T106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 500mA, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2SCR502U3T106 nach Preis ab 0.12 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SCR502U3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R |
auf Bestellung 3088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR502U3T106 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purpse Trans UMT3 |
auf Bestellung 5089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR502U3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 2710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR502U3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR502U3T106 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR502U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR502U3T106 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 0.5A UMT3Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 360MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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