2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR514PHZGT100 nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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2SCR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR514PHZGT100 | ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor |
auf Bestellung 2853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR514PHZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 700mA Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR514PHZGT100 | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 139 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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2SCR514PHZGT100 | Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 329 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 190+ | 0.93 EUR |
| 292+ | 0.6 EUR |
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.75 EUR |
| 10+ | 1.08 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
| 2000+ | 0.51 EUR |
| 5000+ | 0.38 EUR |
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.78 EUR |
| 19+ | 1.11 EUR |
| 100+ | 0.71 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 115+ | 2.18 EUR |
| 184+ | 1.26 EUR |
| 283+ | 0.76 EUR |
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 700mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 115+ | 2.18 EUR |
| 184+ | 1.26 EUR |
| 283+ | 0.76 EUR |
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| 2SCR514PHZGT100 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)