2SCR514RHZGTL ROHM Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.22 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.66 EUR |
| 500+ | 0.52 EUR |
| 6000+ | 0.45 EUR |
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Technische Details 2SCR514RHZGTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Dauerkollektorstrom: 700mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote 2SCR514RHZGTL nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.01 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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2SCR514RHZGTL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR514RHZGTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR514RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 500 mW, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346T Dauerkollektorstrom: 700mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2SCR514RHZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 2291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SCR514RHZGTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 0.7A TSMT3 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT3 Frequency - Transition: 320MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-96 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
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