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2SCR523EBTL

2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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Technische Details 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416FL, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 350MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor 2scr523mt2l-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
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2SCR523EBTL 2SCR523EBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-416FL, 50V 100mA, GP Amplification
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2SCR523EBTL 2SCR523EBTL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR523EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1745 Stücke:
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339+0.74 EUR
559+0.42 EUR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SCR523EBTL
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-416FL, 50V 100mA, GP Amplification
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10+0.37 EUR
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Description: TRANS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
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2SCR523EBTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1745 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
339+0.74 EUR
559+0.42 EUR
893+0.24 EUR
1213+0.18 EUR
1356+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 339 Stücke
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2SCR523EBTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR523EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1745 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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