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2SCR533P5T100

2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor

2scr533p5t100-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500mW, Verlustleistung: 500mW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor 2scr533p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor 2scr533p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 431 Stücke:
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2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor 2scr533p5t100-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
28+0.76 EUR
100+0.52 EUR
500+0.42 EUR
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2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3
auf Bestellung 7022 Stücke:
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3+1.4 EUR
10+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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2SCR533P5T100 2SCR533P5T100 ROHM datasheet?p=2SCR533P5&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.68 EUR
241+0.96 EUR
375+0.57 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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375+0.57 EUR
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Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: MPT3
Frequency - Transition: 320MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SCR533P5T100
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3
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2000+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
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2SCR533P5T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SCR533P5T100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR533P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Verlustleistung: 500mW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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