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2SCR533PT100

2SCR533PT100 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR533PT100 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 2 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR533PT100 2SCR533PT100 Rohm Semiconductor 45475745473876722scr533p.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR533PT100 2SCR533PT100 Rohm Semiconductor 45475745473876722scr533p.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR533PT100 2SCR533PT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR533P&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 3A Transistor
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 2 W
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Description: TRANS NPN 50V 3A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
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Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
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SOT89
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