2SCR544P5T100 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SCR544P5T100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR544P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR544P5T100 nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.41 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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2SCR544P5T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 2.5A Ic MPT3 |
auf Bestellung 1833 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544P5T100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SCR544P5T100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2.5A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 500 mW |
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