2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2.5A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR544PHZGT100 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.78 EUR
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2SCR544PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SCR544PHZGT100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Middle Power Transistor (80V 2.5A). 2SCR544PHZG is Low VCE(sat) and high speed switching transistor for Low Frequency Amplifier. It is a highly reliable product for automotive. |
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2SCR544PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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2SCR544PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SCR544PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SCR544PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 500 mW |
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