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2SCR544PHZGT100

2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor

2scr544phzgt100-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 2.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 2.5A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR544PHZGT100 2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr544phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR544PHZGT100 2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr544phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR544PHZGT100 2SCR544PHZGT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR544PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 80V 2.5A MID-PWR
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2SCR544PHZGT100 2SCR544PHZGT100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR544PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 2.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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153+1.52 EUR
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: NPN
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DC-Kollektorstrom: 2.5A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Bipolar Transistors - BJT SOT-89 NPN 80V 2.5A MID-PWR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 2.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
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2SCR544PHZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 2.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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2SCR544PHZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR544PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 80V, 2.5A, SOT-89, AEC-Q101, 120hFE
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 2.5A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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DC-Kollektorstrom: 2.5A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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