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2SCR554PHZGT100

2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor

2scr554phzgt100-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
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Technische Details 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Dauerkollektorstrom: 1.5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1.5A, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote 2SCR554PHZGT100 nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr554phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr554phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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190+0.92 EUR
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500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
auf Bestellung 1752 Stücke:
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2+1.95 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
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2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 ROHM 2scr554phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
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97+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 ROHM 2scr554phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
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100+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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2SCR554PHZGT100 2SCR554PHZGT100 Rohm Semiconductor 2scr554phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 1800 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
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2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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190+0.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 183 Stücke
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Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 1.5A, Medium Power Transistor
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10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.48 EUR
5000+0.44 EUR
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2SCR554PHZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
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Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1173 Stücke:
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155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
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2SCR554PHZGT100
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR554PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1.5A
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.59 EUR
155+1.5 EUR
236+0.9 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100 datasheet?p=2SCR554PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR554PHZGT100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SCR554PHZGT100 2scr554phzgt100-e.pdf
2SCR554PHZGT100
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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