2SCR579D3FRATLQ ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT 2SCR579D3FRA is a power transistor with Low VCE(sat), suitable for low frequency amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
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Technische Details 2SCR579D3FRATLQ ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 101MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote 2SCR579D3FRATLQ nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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2SCR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
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2SCR579D3FRATLQ | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 101MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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2SCR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
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2SCR579D3FRATLQ | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR579D3FRATLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
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2SCR579D3FRATLQ | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, TO-252 (DPAK), 160V 1.5A, P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 101MHz Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 10 W Qualification: AEC-Q101 |
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