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2SCR582D3FRATL

2SCR582D3FRATL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2SCR582D3FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 10W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL Rohm Semiconductor 2scr582d3fratl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL Rohm Semiconductor 2scr582d3fratl-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive
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2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR582D3FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SCR582D3FRATL 2SCR582D3FRATL ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SCR582D3FRA&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
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2SCR582D3FRATL
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Trans GP BJT NPN 30V 10A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101
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2SCR582D3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 10W
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 30V 10A, Power Transistor for Automotive
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Description: TRANS NPN 30V 10A TO-252
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2SCR582D3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR582D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 10 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 10A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 10A; 10W; TO252
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 10A
Power dissipation: 10W
Case: TO252
Current gain: 200
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
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