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2SCR583D3FRATL

2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor

2scr583d3fratl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details 2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung: 10W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR583D3FRATL 2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2scr583d3fratl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2SCR583D3FRATL 2SCR583D3FRATL ROHM datasheet?p=2SCR583D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SCR583D3FRATL 2SCR583D3FRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS
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2SCR583D3FRATL 2SCR583D3FRATL ROHM datasheet?p=2SCR583D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2464 Stücke:
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46+5.45 EUR
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2SCR583D3FRATL 2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2488 Stücke:
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4+6.66 EUR
10+4.33 EUR
100+3.01 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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2SCR583D3FRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2SCR583D3FRATL datasheet?p=2SCR583D3FRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR583D3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Bipolar Transistors - BJT TO-252 50V 7A NPN PWR TRANS
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10+3.47 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.86 EUR
2500+1.71 EUR
5000+1.57 EUR
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2SCR583D3FRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2464 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+5.45 EUR
71+3.27 EUR
102+2.11 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
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2SCR583D3FRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
Qualification: AEC-Q101
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100+3.01 EUR
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