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2SCR583D3TL1

2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

2scr583d3tl-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1772 Stücke:
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Technische Details 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote 2SCR583D3TL1 nach Preis ab 0.74 EUR bis 5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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81+2.19 EUR
100+2.06 EUR
250+1.93 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.65 EUR
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2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2scr583d3tl-e.pdf Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.46 EUR
120+1.45 EUR
164+1.04 EUR
200+0.96 EUR
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1000+0.82 EUR
2500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM 2scr583d3tl-e.pdf Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1590 Stücke:
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100+3 EUR
116+1.86 EUR
500+1.48 EUR
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2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, Power Transistor
auf Bestellung 2181 Stücke:
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10+2.64 EUR
100+1.77 EUR
500+1.45 EUR
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2SCR583D3TL1 2SCR583D3TL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR583D3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2621 Stücke:
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5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1579 Stücke:
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50+5 EUR
80+2.93 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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100+2.06 EUR
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Trans GP BJT NPN 50V 7A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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120+1.45 EUR
164+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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2SCR583D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SCR583D3TL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 7A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 3V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 10 W
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10+2.7 EUR
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2SCR583D3TL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR583D3TL1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 10W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5 EUR
80+2.93 EUR
118+1.82 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH