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2SCR586JFRGTLL

2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor

2scr586jfrgtll-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 5A 40000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTL T/R
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Technische Details 2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-263AB, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 927 Stücke:
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2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
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2SCR586JFRGTLL 2SCR586JFRGTLL Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
Qualification: AEC-Q101
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.15 EUR
61+3.83 EUR
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2SCR586JFRGTLL datasheet?p=2SCR586JFRG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
2SCR586JFRGTLL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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2SCR586JFRGTLL
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB
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2SCR586JFRGTLL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 5A LPTL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: LPTL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
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2SCR586JFRGTLL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SCR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.15 EUR
61+3.83 EUR
100+2.68 EUR
500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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