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2SD1012G-SPA-AC

2SD1012G-SPA-AC ON Semiconductor

en0676-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 250mW 3-Pin SPA T/R
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Technische Details 2SD1012G-SPA-AC ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 15V 0.7A 3-SPA, Power - Max: 250 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 3-SPA, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 3-SIP, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1012G-SPA-AC 2SD1012G-SPA-AC ON Semiconductor en0676-d.pdf Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 250mW 3-Pin SPA T/R
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2SD1012G-SPA-AC 2SD1012G-SPA-AC ONSEMI ONSMS36412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1012G-SPA-AC - EACH
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SD1012G-SPA-AC
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1012G-SPA-AC - EACH
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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