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2SD1060S-1E ON Semiconductor


2sd1060-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details 2SD1060S-1E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1.75 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi en686-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
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2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi en686-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.75 W
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Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
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Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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