Produkte > ON SEMICONDUCTOR > 2SD1060S-1E

2SD1060S-1E ON Semiconductor


2sd1060-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 17500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 4700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
154+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SD1060S-1E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3, Power - Max: 1.75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Frequency - Transition: 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Weitere Produktangebote 2SD1060S-1E nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi en686-d.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.81 EUR
10+1.86 EUR
100+1.65 EUR
600+1.32 EUR
1200+1.12 EUR
5400+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1060S-1E 2SD1060S-1E onsemi en686-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 4892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.11 EUR
50+1.99 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1060S-1E en686-d.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.81 EUR
10+1.86 EUR
100+1.65 EUR
600+1.32 EUR
1200+1.12 EUR
5400+1.07 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2SD1060S-1E en686-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TO-220-3
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Frequency - Transition: 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 4892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+4.11 EUR
50+1.99 EUR
100+1.77 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.3 EUR
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH