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2SD1527-E

2SD1527-E Renesas Electronics Corporation

RNSAS04989-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.5A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 1.8 W
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Technische Details 2SD1527-E Renesas Electronics Corporation

Description: TRANS NPN 1000V 0.5A TO-220AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 60mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Power - Max: 1.8 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1527-E Renesas RNSAS04989-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT NPN 1KV 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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2SD1527-E RNSAS04989-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: Renesas
Trans GP BJT NPN 1KV 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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