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2SD1628F-TD-E

2SD1628F-TD-E onsemi

en1781-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 20V 5A PCP
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 120MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 60mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
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Technische Details 2SD1628F-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1628F-TD-E 2SD1628F-TD-E ONSEMI en1781-d.pdf Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SD1628F-TD-E ON Semiconductor 1121en1781-d.pdf Trans GP BJT NPN 20V 5A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SD1628F-TD-E ON Semiconductor EN1781-D-1804576.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
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2SD1628F-TD-E
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1628F-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: SANYO
SOT89
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Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 20V
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