Technische Details 2SD1664T100R ROH
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2SD1664T100R | Hersteller : ROHM |
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auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD1664 T100R | Hersteller : ROHM | 09+ |
auf Bestellung 38018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD1664T100R | Hersteller : ROHM |
10+ROHS SOT-89 |
auf Bestellung 158222 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD1664 T100R | Hersteller : ROHM | SOT89 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD1664 T100R | Hersteller : ROHM | SOT89 |
auf Bestellung 763 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2SD1664T100R | Hersteller : ROHM |
SOT-89 |
auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SD1664T100R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
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2SD1664T100R | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
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| 2SD1664T100R | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 1A |
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