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2SD1767T100Q

2SD1767T100Q Rohm Semiconductor

2SD1767%2C1859_RevA.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SD1767T100Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 500 mW.

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2SD1767T100Q 2SD1767T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor 2SD1767%2C1859_RevA.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
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2SD1767T100Q 2SD1767T100Q Hersteller : Rohm Semiconductor 2SD1767%2C1859_RevA.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.7A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
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2SD1767T100Q Hersteller : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms26119-1-1742696.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 0.7A
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2SD1767T100Q Hersteller : ROHM 2SD1767%2C1859_RevA.pdf SOT89
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