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2SD1781KT146Q

2SD1781KT146Q Rohm Semiconductor

2sd1781kt146q-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 3-Pin SMT T/R
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Technische Details 2SD1781KT146Q Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 0.8A SMT3, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Supplier Device Package: SMT3, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1781KT146Q 2SD1781KT146Q Rohm Semiconductor 2sd1781kt146q-e.pdf Description: TRANS NPN 32V 0.8A SMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: SMT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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2SD1781KT146Q 2SD1781KT146Q ROHM Semiconductor 2sd1781kt146q-e.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 0.8A
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Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
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Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
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