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2SD1801S-TL-E ON Semiconductor


2sb1201.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SD1801S-TL-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SD1801S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung hFE: 140, Verlustleistung Pd: 15, Übergangsfrequenz ft: 150, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: 2SD1801, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1801S-TL-E 2SD1801S-TL-E onsemi en2112-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 2A TPFA
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2SD1801S-TL-E 2SD1801S-TL-E ON Semiconductor EN2112-D-1803660.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
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