2SD1802S-E ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802S-E - TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, TO-251
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Technische Details 2SD1802S-E ONSEMI
Description: TRANS NPN 50V 3A TP, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP, Frequency - Transition: 150MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote 2SD1802S-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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2SD1802S-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SD1802S-E |
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Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
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auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)