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2SD1803S-H

2SD1803S-H onsemi

2SB1203%2C2SD1803.pdf
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
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Technische Details 2SD1803S-H onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TP, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1803S-H ONSEMI 2SB1203%2C2SD1803.pdf Description: ONSEMI - 2SD1803S-H - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-251
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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2SD1803S-H 2SB1203%2C2SD1803.pdf
Hersteller: ONSEMI
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