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2SD1803S-TL-H

2SD1803S-TL-H ON Semiconductor

2sd1803d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details 2SD1803S-TL-H ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Power - Max: 1 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TP-FA, Frequency - Transition: 180MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1803S-TL-H 2SD1803S-TL-H ON Semiconductor 2sd1803d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SD1803S-TL-H 2SD1803S-TL-H ON Semiconductor 2sd1803d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
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2SD1803S-TL-H 2SD1803S-TL-H onsemi 2SB1203%2C2SD1803.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
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