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2SD1803T-E

2SD1803T-E ON Semiconductor

2sd1803d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
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Technische Details 2SD1803T-E ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 50V 5A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
2SD1803T-E 2SD1803T-E onsemi 2SD1803-D.PDF Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
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2SD1803T-E ONSEMI 2SD1803-D.PDF Description: ONSEMI - 2SD1803T-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-251
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 5A-TO-251
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