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2SD1803T-TL-E onsemi

Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V

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Technische Details 2SD1803T-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Weitere Produktangebote 2SD1803T-TL-E

Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
2SD1803T-TL-E	onsemi	Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SD1803T-TL-E	ONSEMI	Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 20 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SD1803 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (19-Jan-2021)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 700 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2SD1803T-TL-E	ON Semiconductor	Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 2100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2SD1803T-TL-E

Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W

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2SD1803T-TL-E

Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1803T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SD1803
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 700 Stücke

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2SD1803T-TL-E

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2100 Stücke

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