2SD1815S-E ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1815S-E - TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 3A-TO251
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SD1815S-E ONSEMI
Description: TRANS NPN 100V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.
Weitere Produktangebote 2SD1815S-E
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
2SD1815S-E | ON Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V |
auf Bestellung 1454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 2SD1815S-E |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
auf Bestellung 1454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)